新洁能公布一种双沟槽型碳化硅场效应晶体管器件及其制备方法专利_企业

天眼查APP显示，无锡新洁能股份有限公司申请的“一种双沟槽型碳化硅场效应晶体管器件及其制备方法”专利公布。 摘要显示，本发明提供一种双沟槽型碳化硅场效应晶体管器件及其制备方法，包括N型漏极及位于其下表面的漏极金属，在N型漏极的上表面设有N型外延层作为JFET的漂移区，在N型外延层的上表面设有N型源区，在N型源区上表面还依次设有Silicide层与源极金属，在N型外延层远离N型漏极的一端表面设置源区沟槽和纵向沟槽，源区沟槽内部设有氧化层，源区沟槽的侧壁被N型源区包围，纵向沟槽内部设有第二氧化层，纵向沟槽外围被P型掺杂区包裹，且P型掺杂区和第二氧化层之间还设有Silicide层。本发明采用自对准工艺形成栅极沟槽和Silicide层结构，减小了生产成本的同时减小了栅极电阻使得器件开关瞬间电流更加均匀。