锴威特一种具有超结结构的碳化硅MOSFET器件专利获授权_企业

天眼查APP显示，苏州锴威特半导体股份有限公司申请的“一种具有超结结构的碳化硅MOSFET器件”专利获授权。摘要显示，本发明公开了半导体功率器件技术领域的一种具有超结结构的碳化硅MOSFET器件，包括N型衬底，N型衬底的上方设置有超结结构，超结结构包括重掺杂N型外延层,重掺杂N型外延层的中央形成重掺杂P柱区,重掺杂P柱区的上方形成栅极沟槽,通过选择性的半包P型结构将重掺杂P柱区与源极短接，可以有效抑制沟槽拐角及底部的电场强度，降低栅漏电容，提高栅氧介质及器件长期可靠性。本发明还通过优化P柱和N柱的排列方式，改善器件击穿电压和导通电阻之间的优值FOM，降低超结柱区交界面的电场强度，提升器件抗单粒子烧毁能力，实现高质量碳化硅超结MOSFET的制备，为碳化硅超结器件的商业化应用提供可行的技术路径。