宏微科技公布非对称单沟道平面SiC MOSFET器件及制备方法专利_企业

天眼查APP显示，江苏宏微科技股份有限公司申请的“非对称单沟道平面SiC MOSFET器件及制备方法”专利公布。 摘要显示，本发明属于半导体功率器件技术领域，具体涉及一种非对称单沟道平面SiC?MOSFET器件及制备方法。本发明的非对称单沟道平面SiC?MOSFET器件及制备方法，在N+层次不需要保留小岛阻挡层，也不需要光刻版，将传统对称的双沟道元胞改为单沟道，其表面电流均匀性增加，短路能力等可靠性增加。另外由于只有单沟道，因此多晶栅极可不用覆盖JFET区，减小了栅氧电场强度，提高了栅氧可靠性，同时减小了栅源电容和栅漏电容，从而减小了器件的动态损耗。