扬杰科技公布一种改进半导体器件饱和压降的制备方法专利_企业

天眼查APP显示，扬州扬杰电子科技股份有限公司申请的“一种改进半导体器件饱和压降的制备方法”专利公布。 摘要显示，一种改进半导体器件饱和压降的制备方法，涉及半导体制备技术领域。在发射区进行推进工艺中引入O2和H2，由于氧气层阻止磷扩散，维持高的发射区浓度，提高电子注入效率，同时避免基区掺杂补偿，保持低的基区电阻Rb以及接触电阻，降低饱和压降。由公式β=Ic/Ib，因此β会变大，使用相同的温度，更少的时间达到β的规格值，对产能以及交期也会有很大的帮助。