晶合集成等公布一种半导体器件及其制备方法、集成电路专利_企业

天眼查APP显示，晶芯成（北京）科技有限公司,合肥晶合集成电路股份有限公司申请的“一种半导体器件及其制备方法、集成电路”专利公布。 摘要显示，本说明书提供了一种半导体器件及其制备方法、集成电路，该器件中，第一栅绝缘层包括氧化部分和氮氧化部分，其中，氧化部分位于氮氧化部分背离衬底一侧。如此，一方面可以利用氮元素的高K值特性，使得氮氧化部分具有较小的EOT，从而降低第一栅氧化层整体的等效氧化层厚度，抑制NBTI效应，改善器件性能。另一方面，第一栅绝缘层中的氧化部分位于氮氧化部分背离衬底一侧，使得在第一栅绝缘层的图形定义过程中，氧化部分可以作为氮氧化部分的保护层，避免氮氧化部分与用于去除掩膜的清洗液的反应，避免了清洗液对第一栅绝缘层顶部（即背离衬底一侧）的损伤，保证第一栅绝缘层对NBTI效应的抑制效果。