正邦电子等公布一种具有背面空穴注入的快速软恢复二极管及制备方法专利_企业

天眼查APP显示，华中科技大学,浙江正邦电子股份有限公司申请的“一种具有背面空穴注入的快速软恢复二极管及制备方法”专利公布。 摘要显示，本申请属于功率半导体器件技术领域，具体公开了一种具有背面空穴注入的快速软恢复二极管及制备方法。本申请通过对p缓冲层、n缓冲层、p阴极区结构进行优化，p缓冲层与p+阳极区交替排列，由于p缓冲层掺杂明显低于PIN二极管的p+阳极掺杂，反向恢复过程中的载流子提取时间显著缩短。n缓冲区掺杂浓度低于n+阴极，有效地限制了电场的宽度并降低了阴极的注入效率，有效解决原PIN二极管在反向恢复过程中的反向恢复时间长、反向恢复电流高的问题。